Belarusian-Russian Workshop SEMICONDUCTOR LASERS AND SYSTEMS

8^th Belarusian-Russian Workshop
SEMICONDUCTOR LASERS AND SYSTEMS

have taken place
at Stepanov institute of physics
of National academy of sciences of Belarus

17 20 May 2011, Minsk, Belarus

8th Workshop papers book (pdf)

The Workshop have been organized by Stepanov institute of physics of National academy of sciences of Belarus.
The Workshop consisted of reviews and contributed oral reports in a wide range of topics on physics and techniques of semiconductor lasers, including laser diodes, electron-beam and optical pumped lasers, other types of semiconductor lasers, sources and detectors of radiation, technology of semiconductor structures and lasers, and their applications.
The working languages of the Workshop was Russian.
Workshop fee: 50 Euro.

Scientific Committee:

Zh. I. Alferov (St. Petersburg, Russia)
A. A. Afonenko (Minsk, Belarus)
V. V. Bezotosnyi (Moscow, Russia)
A. P. Bogatov (Moscow, Russia)
L. I. Burov (Minsk, Belarus)
V. P. Duraev (Moscow, Russia)
A. A. Gorbatsevich (St. Petersburg, Russia)
A. L. Gurskii (Minsk, Belarus)
M. Heuken (Aachen, Germany)
S. V. Ivanov (St. Petersburg, Russia)
V. V. Kabanov (Minsk, Belarus)
N. S. Kazak (Minsk, Belarus)
V. K. Kononenko (Minsk, Belarus)
P. S. Kop'ev (St. Petersburg, Russia)
V. I. Kozlovskii (Moscow, Russia)
N. V. Kuleshov (Minsk, Belarus)
V. D. Kurnosov (Moscow, Russia)

E. V. Lutsenko (Minsk, Belarus)
S. A. Malyshev (Minsk, Belarus)
G. T. Mikaelyan (Saratov, Russia)
A. I. Nadezhdinskii (Moscow, Russia)
W. Nakwaski (Łódź, Poland)
V. A. Orlovich (Minsk, Belarus)
G. I. Ryabtsev (Minsk, Belarus)
S. B. Sevast'yanov (Novosibirsk, Russia)
V. G. Sidorov (St. Petersburg, Russia)
W. Stręk (Wroclaw, Poland)
I. S. Tarasov (St. Petersburg, Russia)
V. M. Ustinov (St. Petersburg, Russia)
G. P. Yablonskii (Minsk, Belarus)
Yu. P. Yakovlev (St. Petersburg, Russia)
S. D. Yakubovich (Moscow, Russia)
M. M. Zverev (Moscow, Russia)

Organizing committee:

Chair: Prof. Dr.G. P. Yablonskii
Workshop scientific secretary: Dr. V. Z. Zubialevich
Prof. Dr. V. K. Kononenko
Dr. E. V. Lutsenko
Dr. V. N. Pavlovskii
Dr. G. I. Ryabtsev

Time schedule

8^th Belarusian-Russian Workshop SEMICONDUCTOR LASERS AND SYSTEMS 17-20 May 2011, Minsk, Belarus
SCHEDULE
17 May, Tuesday
08.00‑14.00	Arrival, meeting, accomodation and registration, visiting to the Laboratory of Semiconductor Physics and Techniques of Stepanov Institute of Physics of NAS of Belarus
14.00	Workshop Opening
	Introductory greetings. V. V. Kabanov, V. A. Orlovich, G. P. Yablonskii.
14.20-19.00	Section 1
18 May, Wednesday
09.00-18.00	Sections 2, 3
19.00	Workshop dinner
19 May, Thursday
	Excursion to Lida
20 May, Friday
09.00-13.30	Section 4
13.30-14.00	Coffee Break
14.00	Workshop Closing

Important dates

Registration forms have been submitted not later than 15 April 2011.

Manuscript deadline was 15 April 2011.

Workshop Book of Papers publication date was 26 April 2011.

Official invitations and Workshop Program have been sent to all participants after 20 April 2011 by e-mail and/or conventional mail (upon request).

Programme of 8th Belarusian–Russian Workshop"SEMICONDUCTOR LASERS AND SYSTEMS"

	8^thBelarusian–Russian Workshop SEMICONDUCTOR LASERS AND SYSTEMS 17–20 May 2011, Minsk, Belarus
	PROGRAMME
	17 May, Tuesday
08.00‑14.00	Registration, meeting and visiting to the Laboratory of Physics and Technique of Semiconductors at Stepanov Institute of Physics NASB, excursion around Minsk
14.00	Workshop Opening
	Introductory Greetings. V. V. Kabanov, N. S. Kazak, G. P. Yablonskii
	Section 1 – Injection Lasers
14.20–14.40	Линейные массивы и матрицы быстродействующих полупроводниковых вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм
	Н. А. Малеев, С. А. Блохин, А. Г. Кузьменков, А. С. Шуленков, М. М. Кулагина, Ю. М. Задиранов, А. П. Васильев, А. Г. Гладышев, В. С. Никитин, А. Н. Ломанов, J. A. Lott, Н. Н. Леденцов, Л. Я. Карачинский, В. М. Устинов
	Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, С. -Петербург ООО «Коннектор Оптикс», С. -Петербург, Россия ОАО «Минский НИИ радиоматериалов», Минск, Беларусь ООО «НТЦ «ИНТРОФИЗИКА», Рыбинск, Россия VI Systems GmbH, Berlin, Germany
14.45–15.05	Перестраиваемые одночастотные полупроводниковые лазеры
	В. П. Дураев
	АОЗТ “Новая лазерная техника”–“НОЛАТЕХ”, Москва, Россия
15.10–15.30	Насыщение ватт-амперных характеристик в непрерывном и импульсном режиме генерации мощных полупроводниковых лазеров
	И. С. Тарасов, Д. А. Винокуров, Н. А. Пихтин, С. О. Слипченко
	Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, С. -Петербург, Россия
15.35–15.55	Исследование пороговых, мощностных и спектральных характеристик полупроводникового лазера с волоконной брэгговской решеткой
	А. В. Иванов, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, А. В. Лобинцов, В. И. Романцевич, Р. В. Чернов, В. С. Жолнеров
	ФГУП НИИ «Полюс» им. М. Ф. Стельмаха, Москва ОАО «Российский институт радионавигации и времени», С. -Петербург, Россия
16.00–16.20	Coffee Break
16.20–16.40	О возможности создания лазера на прямозонных квантовых ямах Ge и Ge/InGaAs в GaAs
	В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов
	Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород, Россия
16.45–17.05	Динамика процесса срыва генерации мод Фабри–Перо резонатора в полупроводниковых лазерах с полосковым контактом
	С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, Д. А. Винокуров, А. В. Лютетский, Н. В. Воронкова, М. Г. Растегаева, Н. А. Рудова, В. А. Капитонов, Н. А. Пихтин, И. С. Тарасов
	Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, С. -Петербург, Россия
17.10–17.30	Пути повышения выходной мощности одиночных непрерывных лазерных диодов на 808 нм и 980 нм и контроль спектров излучения
	Е. Е. Ашкинази, В. В. Безотосный, В. Ю Бондарев, В. И. Коваленко, О. Н. Крохин, В. А. Олещенко, В. Ф. Певцов, Ю. М. Попов, Е. А. Чешев
	Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН, Москва Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, Москва, Россия
17.35–17.55	Полупроводниковый лазер с перестраиваемым фильтром Фабри–Перо во внешнем кольцевом оптоволоконном резонаторе
	K. Hsu, А. А. Лобинцов, В. Р. Шидловский, М. В. Шраменко, С. Д. Якубович
	Micron Optics, Inc. , Atlanta Ga, USA ООО «Суперлюминесцентные Диоды», Москва МИРЭА (Технический университет), Москва, Россия
18.00–18.20	Особенности работы твердотельного лазера с линзоподобным Nd: YLF при неоднородной продольной диодной накачке
	В. В. Безотосный, М. В. Горбунков, М. С. Кривонос, В. А. Олещенко, Ю. М. Попов, В. Г. Тункин, Е. А. Чешев
	Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, Москва МГУ им. М. В. Ломоносова, Москва, Россия
18.25–18.40	Мощный твердотельный лазер с диодной накачкой, излучающий на длинах волн 1064, 532, 355 и 266 нм, для целей спектроскопии и мониторинга
	Т. В. Безъязычная, М. В. Богданович, А. В. Григорьев, В. В. Кабанов, Н. В. Кондратюк, Е. В. Лебедок, А. Л. Протасеня, А. Г. Рябцев, Г. И. Рябцев, М. А. Щемелев
	Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск ЗАО “СоларЛС”, Минск, Беларусь
	18 May, Wednesday
	Section 2 – Laser Systems, Characterization and Modeling
09.00–09.15	Нелинейная генерация разностной частоты среднего и дальнего ИК в волноводах с модулированным профилем диэлектрической проницаемости и поверхностным выводом излучения
	К. Б. Микитчук, А. А. Афоненко
	Белорусский государственный университет, Минск, Беларусь
09.20–09.40	Генерация разностной частоты в импульсном режиме полупроводникового двухчастотного лазера с вертикальным внешним резонатором
	Ю. А. Морозов, М. Ю. Морозов, И. В. Красникова
	Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН (Саратовский фил. ), Саратов Саратовский государственный технический университет, Саратов, Россия
09.45–10.00	Исследование характеристик эрбиевого мини лазера для микродвигателя космического назначения
	А. Н. Чумаков, П. Н. Малевич, Г. И. Рябцев, М. В. Богданович, М. В. Щемелев, А. В. Исаевич, А. В. Холенков
	Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь
10.05–10.20	Thermal characterization of near-infrared laser quantum-well GaSb-based sources
	V. K. Kononenko, E. P. Sachkov, V. M. Stetsik, P. Christol
	Stepanov Institute of Physics NASB, Minsk, Belarus IES- Université Montpellier 2, CNRS 5214, Montpellier, France
10.25–10.45	Особенности генерации лазерных диодов на квантовых ямах GaAsSb
	О. В. Вихрова, Н. В. Дикарева, Б. Н. Звонков, М. Н. Колесников, С. М. Некоркин, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов
	Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н. И. Лобачевского, Нижний Новгород Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород, Россия
10.50–11.05	Нормировка фононных мод в квантоворазмерных гетероструктурах
	А. А. Афоненко, В. С. Белявский
	Белорусский государственный университет, Минск, Беларусь
11.10–11.30	Coffee Break
11.30–11.45	Вибрационный и стохастический резонансы в бистабильном вертикально-излучающем лазере с оптической обратной связью
	В. Н. Чижевский
	Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь
11.50–12.05	Генерация терагерцовых импульсов, обусловленная поверхностным баллистическим фототоком
	П. А. Зезюля, В. Л. Малевич, И. С. Манак
	Белорусский государственный университет, Минск Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь
12.10–12.25	Спектры терагерцового усиления квантово-каскадных структур с двумя квантовыми ямами на основе Al_0.15Ga_0.85As/Al_0.02Ga_0.98As(GaAs)/Al_0.15Ga_0.85As
	Д. В. Ушаков, Ю. Г. Садофьев, N. Samal
	Белорусский государственный университет, Минск, Беларусь Trion Technology, Tempe, Arisona, USA
12.30–12.45	Амплитудно-отстроечные характеристики квантоворазмерных гетеролазеров, излучающих в области 1.5 мкм
	Б. Ф. Кунцевич, В. К. Кононенко
	Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь
12.50–13.05	Неустойчивость излучения в квантоворазмерных структурах из квантовых точек при учете ближних дипольных взаимодействий
	Е. В. Тимощенко, В. А. Юревич, Ю. В. Юревич
	УО «МГУ им. А. А. Кулешова», Могилев УО «МГУП», Могилев, Беларусь
13.10–14.00	Lunch
14.00–14.15	Анализ динамических процессов в лазерах с внешней оптической синхронизацией на основе распределенной модели резонатора
	А. А. Афоненко, Е. С. Панфиленок, C. А. Малышев, А. Л. Чиж
	Белорусский государственный университет, Минск Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь
14.20–14.35	Усиленная люминесценция и эффект растекания носителей заряда в мощных линейках лазерных диодов
	Т. В. Безъязычная, В. М. Зеленковский, В. В. Кабанов, Е. В. Лебедок, А. А. Романенко, Г. И. Рябцев
	Институт физико-органической химии НАН Беларуси, Минск Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь
14.40–14.55	Широкополосные суперлюминесцентные диоды и полупроводниковые оптические усилители с центральной длиной волны 780 нм
	С. Н. Ильченко, Ю. О. Костин, М. А. Ладугин, П. И. Лапин, А. А. Лобинцов, А. А. Мармалюк, С. Д. Якубович
	ООО «Суперлюминесцентные Диоды», Москва ООО «Сигм Плюс», Москва МИРЭА (Технический университет), Москва, Россия
15.00–15.15	Дорожное освещение светодиодами без вторичной оптики
	Э. М. Гутцайт, В. Э. Маслов, Т. А. Агафонова, И. В. Степанова, Д. О. Тимер-Булатов, Е. Ю. Ушакова
	Московский энергетический институт (Технический университет), Москва ООО «ЛЕДРУ», Москва Всероссийский институт научно-технической информации, Москва, Россия
15.20–15.35	Оптические излучатели с высокодобротными резонаторными системами, содержащими квантовые нити и точки
	Э. М. Гутцайт, А. А. Курушин, В. Э. Маслов
	Московский энергетический институт (Технический университет), Москва ООО «ЛЕДРУ», Москва, Россия
15.40–16.00	Coffee Break
	Section 3 – Electron-beam and Optically Pumped Lasers
16.00–16.20	Высокоэффективные фиолетово-зеленые А₂В₆/A₃N лазерные конвертеры с накачкой импульсными InGaN/GaN лазерными диодами
	С. В. Сорокин, И. В Седова, С. В. Гронин, Г. В. Климко, С. В. Иванов, Е. В. Луценко, А. Г. Войнилович, Н. П. Тарасюк, Г. П. Яблонский
	Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, С. -Петербург, Россия Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь
16.25–16.45	Рост эпитаксиальных слоев ZnCdS, ZnMgS и наноразмерных структур ZnCdS/ZnMgS методом ПФЭМОС на подложках GaP для УФ лазеров с накачкой электронным пучком
	П. И. Кузнецов, В. И. Козловский
	Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, Фрязино Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, Москва, , Россия
16.50–17.05	Катастрофическая деградация лазеров с оптической накачкой на основе гетероструктур с квантовыми точками CdSe/ZnSe и квантовыми ямами InGaN/GaN
	В. З. Зубелевич, А. Г. Войнилович, Е. В. Луценко, Г. П. Яблонский, А. С. Шуленков, С. В. Сорокин, И. В. Седова, С. В. Гронин, С. В. Иванов, H. Kalisch, M. Heuken
	Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск Минский НИИ радиоматериалов, Минск, Беларусь Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, С. -Петербург, Россия GaN Device Technology, RWTH University, Aachen AIXTRON SE, Herzogenrath, Germany
17.20–17.40	Наноразмерные структуры с гетеропереходами CdS/ZnSe второго типа для полупроводниковых лазеров
	Н. В. Забавин, В. И. Козловский, Д. Е. Свиридов
	Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, Москва
17.45–18.05	Исследование лазерных сборок на основе ZnSe-содержащих гетероструктур с оптической связью между элементами
	Р. В. Есин, Е. В. Жданова, М. М. Зверев, С. В. Иванов, П. С. Копьев, Д. В. Перегудов, И. В. Седова, С. В. Сорокин, В. Б. Студенов
	Московский институт радиотехники, электроники и автоматики, Москва Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, С. -Петербург
18.10–18.25	Импульсные полупроводниковые лазеры с накачкой электронным пучком на основе структур InGaAs/AlGaAs
	Н. А. Гамов, Е. В. Жданова, М. М. Зверев, М. А Ладугин, А. А. Мармалюк, Д. В. Перегудов, В. Б. Студенов
	Московский институт радиотехники, электроники и автоматики, Москва ФГУП НИИ «Полюс» им. М. Ф. Стельмаха, Москва, Россия
18.30–18.50	Полупроводниковый лазер с внешним резонатором и накачкой электронным пучком
	В. И. Козловский
	Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, Москва
18.55–19.15	Оптимизация и исследование структурных свойств лазерных гетероструктур на основе ZnSe с варизонным волноводом
	С. В. Гронин, С. В. Сорокин, И. В. Седова, Г. В. Климко, С. В. Иванов
	Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, С. -Петербург, Россия
19.30	Welcome Party
	19 May, Thursday
	Visiting to the laboratories at Stepanov Institute of Physics NASB. Excursion to Novogrudok and Lida Castles, acquaintance with a Belarusian farmstead (photo!)
	20 May, Friday
	Section 4 – Photonic Components, Methods, and Applications
09.00–09.20	О дислокационной природе процесса деградации полупроводниковых источников и приемников излучения на основе А³В⁵
	В. В. Евстропов, В. Г. Сидоров, Л. М. Федоров
	Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, С. -Петербург Государственный политехнический университет, С. -Петербург, Россия
09.25–09.40	Оптическая диагностика физико-химических свойств нанокомпозитов NiO/Al₂O₃ при различных воздействиях
	А. Я. Хайруллина, И. Н. Пархоменко, О. Н. Куданович, Д. С. Филимоненко
	Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь
09.45–10.00	Исследование элементного состава люминофоров на основе широкозонных халькогенидных полупроводников типа II-III₂-VI₄, легированных редкоземельными элементами
	Е. В. Муравицкая, В. З. Зубелевич, Г. П. Яблонский, Ю. О. Лисовская, А. М. Пашаев, Б. Г. Тагиев, О. Б. Тагиев, С. А. Абушов
	Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск Институт порошковой металлургии НАН Беларуси, Минск, Беларусь Институт физики НАН Азербайджана, Баку Национальная академия авиации Азербайджана, Баку Филиал МГУ им. М. В. Ломоносова, Баку, Азербайджан
10.05–10.20	Влияние интерференции на эффективность инвертированных фотовольтаических ячеек на основе гетероперехода фталоцианин меди–фуллерен
	В. В. Филиппов, Б. Г. Шулицкий
	Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск БГУИР, Минск, Беларусь
10.25–10.45	Волоконно-оптические интерферометрические преобразователи акустических сигналов с полупроводниковыми лазерными источниками
	А. В. Кудряшов, Л. Б. Лиокумович, А. В. Медведев
	ОАО «Светлана», С. -Петербург Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, С. -Петербург, Россия
10.50–11.05	Мультиспектральный метод оценки оксигенации гемоглобина в микроциркуляторной сети сетчатки
	С. А. Лысенко, М. М. Кугейко, В. А. Фираго
	Белорусский государственный университет, Минск, Беларусь
11.10–11.30	Coffee Break
11.30–11.45	Усиление ближнего поля наночастицами серебра и никеля в материалах органических фотовольтаических ячеек
	В. Н. Богач, Р. А. Дынич, А. Н. Понявина, В. В. Филиппов
	Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь
11.50–12.05	Optical microcavities with J-aggregates
	Y. P. Rakovich, D. Melnikau, D. I. Savateeva, K. I. Rusakov, A. A. Gladyshchuk, Z. V. Rusakova, S. V. Chugunov
	Materials Physics Center, CSIC-UPV/EHU, San Sebastian CIC nanoGUNE Consolider, Donostia-San Sebastian IKERBASQUE, Basque Foundation for Science, Bilbao, Spain Brest State Technical University, Brest, Belarus
12.10–12.25	Полностью оптический модулятор лазерного излучения
	В. В. Станкевич, М. В. Ермоленко, О. В. Буганов, С. А. Тихомиров, С. В. Гапоненко
	Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь
12.30–12.45	Laser diode module preparation and characterization
	V. D. Mien, V. V. Luc, T. Q. Tien, P. V. Truong, T. Q. Cong, V. T. Nghiem, N. C. Thanh, N. T. Ngoan, V. V. Parashchuk
	Institute of Materials Science, Vietnam Academy of Science and Technology, Hanoi, Vietnam Stepanov Institute of Physics, National Academy of Sciences of Belarus, Minsk, Belarus
12.50–13.05	Пространственное распредление силы света и силы излучения светоизлучающих и лазерных диодов
	С. В. Никоненко, Е. В. Луценко, А. В. Данильчик, В. А. Ждановский, В. З. Зубелевич, А. А. Липлянин, Н. В. Ржеуцкий
	Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь
13.10–13.30	Влияние дизайна р-области на свойства InGaN/GaN светодиодов зеленого диапазона
	А. В. Сахаров, А. Е. Николаев, В. В. Лундин, С. О. Усов, В. C. Сизов, А. Ф. Цацульников, М. А. Яговкина, Д. Ю. Казанцев, Б. Я. Бер, С. Ю. Карпов
	Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, С. -Петербург НТЦ микроэлектроники РАН, С. -Петербург ООО «Группа СТР» – ООО «Софт-Импакт», С. -Петербург, Россия
13.35–13.55	Портативный оптический измеритель воды в нефти на основе узкополосных светодиодов и широкополосных фотодиодов в средней инфракрасной области спектра (1.6–2.4 мкм)
	Ю. П. Яковлев, Н. Д. Стоянов, С. С. Молчанов, К. В. Калинина
	Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, С. -Петербург, Россия
09.00–14.00	Poster Section

	Светодиодная линейка с непосредственным жидкостным охлаждением
	Е. В. Луценко, Н. В. Ржеуцкий, А. В. Данильчик, В. Н. Павловский, В. З. Зубелевич
	Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь
	Температурные зависимости спектральных параметров белых светодиодов
	Е. В. Луценко, Н. В. Ржеуцкий, А. В. Данильчик, В. З. Зубелевич, В. Н. Павловский, Ю. В. Трофимов, В. С. Поседько, С. И. Лишик, В. И. Цвирко
	Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск ГП «ЦСОТ НАН Беларуси», Минск, Беларусь
	Исследование влияния влагозащитных покрытий на светотехнические параметры светодиодов
	Ю. В. Трофимов, В. С. Поседько, Е. Ф. Острецов, В. И. Цвирко, Л. Н. Сурвило
	ГП «ЦСОТ НАН Беларуси», Минск Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь
	Высокочувствительный фотоприемник УФ-диапазона на основе гетероструктуры AlGaN/GaN, выращенной на кремниевой подложке
	Е. В. Луценко, Н. В. Ржеуцкий, А. Г. Войнилович, В. Н. Павловский, С. Mauder, H. Kalisch, M. Heuken
	Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь GaN Device Technology, RWTH Aachen University, Aachen AIXTRON SE, Herzogenrath, Germany
	Надежный омический контакт к гетероэпитаксиальным структурам на основе арсенида галлия
	В. М. Кравченко, А. В. Кравченко
	Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь
	Твердотельные zigzag лазеры с диодной накачкой
	М. С. Леоненя, И. С. Манак
	Белорусский государственный университет, Минск, Беларусь
	Нестационарная спектроскопия глубоких уровней монокристалла сегнетоэлектрика – полупроводника TlGaSe₂
	A. П. Одринский, V. Grivickas, V. Bikbajevas, E. G. Samadli
	Институт технической акустики НАН Беларуси, Витебск, Беларусь Institute of Materials Science and Applied Research, Vilnius University, Vilnius, Lithuania Institute of Physics Azerbaijan National Academy of Sciences, Baku, Azerbaijan
	Нестационарная фотолюминесценция квантовых точек GaN/AlN
	И. А. Александров, К. С. Журавлев, А. К. Гутаковский, Е. В. Луценко, Г. П. Яблонский
	Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь
	Нефелометрический метод измерения пыли в аспирационном воздухе и отходящих газах на цементных заводах
	С. А. Лысенко, М. М. Кугейко
	Белорусский государственный университет, Минск, Беларусь
	Диодные лазеры в инструментальной диагностике синтетических и природных драгоценных бериллов
	А. И. Андреев, Я. В. Кривошеев, В. В. Некрасов, В. А. Никитенко, M. A. Рыбалко
	Московский государственный университет путей сообщения, Москва Российский государственный геологоразведочный университет, Москва, Россия
14.00–14.30	Coffee Break
14.30	Workshop Closing