SEMICONDUCTOR LASERS AND SYSTEMS has been held
at Stepanov Institute of Physics
of National Academy of Sciences, Belarus
1
The Workshop consisted of reviews and contributed oral reports in a wide range of topics on physics and techniques of semiconductor lasers, including laser diodes, electron-beam and optical pumped lasers, other types of semiconductor lasers, sources and detectors of radiation, technology of semiconductor structures and lasers, and their applications.
The working languages of the Workshop were Russian & English.
Scientific Committee:
|
Zh. I. Alferov (St. Petersburg, Russia) V. V. Bezotosnyi (Moscow, Russia) A. P. Bogatov (Moscow, Russia) L. I. Burov (Minsk, Belarus) V. P. Duraev (Moscow, Russia) A. A. Gorbatsevich (St. Petersburg, Russia) A. L. Gurskii (Minsk, Belarus) M. Heuken (Aachen, Germany) S. V. Ivanov (St. Petersburg, Russia) V. V. Kabanov (Minsk, Belarus) N. S. Kazak (Minsk, Belarus) V. K. Kononenko (Minsk, Belarus) P. S. Kop'ev (St. Petersburg, Russia) V. I. Kozlovskii (Moscow, Russia) N. V. Kuleshov (Minsk, Belarus) V. D. Kurnosov (Moscow, Russia) E. V. Lutsenko (Minsk, Belarus) |
S. A. Malyshev (Minsk, Belarus) G. T. Mikaelyan (Saratov, Russia) A. I. Nadezhdinskii (Moscow, Russia) W. Nakwaski (Łódź, Poland) V. A. Orlovich (Minsk, Belarus) G. I. Ryabtsev (Minsk, Belarus) S. B. Sevast'yanov (Novosibirsk, Russia) A.P. Shkadarevich (Minsk, Belarus) V. G. Sidorov (St. Petersburg, Russia) W. Stręk (Wroclaw, Poland) I. S. Tarasov (St. Petersburg, Russia) V. M. Ustinov (St. Petersburg, Russia) G. P. Yablonskii (Minsk, Belarus) Yu. P. Yakovlev (St. Petersburg, Russia) S. D. Yakubovich (Moscow, Russia) M. M. Zverev (Moscow, Russia) |
Organizing committee:
Chair: Prof. Dr.G. P. YablonskiiDr. G. I. Ryabtsev (invitations, conference fee), Prof. Dr. V. K. Kononenko (Workshop book of papers), Dr. E. V. Lutsenko (lodging), Dr. V. N. Pavlovskii (meeting, transportation and excursion)
Workshop scientific secretary: V. Z. Zubialevich
Программа Семинара
| 7th Belarusian-Russian Workshop |
|
| PROGRAMME |
|
| 1 June, Monday |
|
| 08.00‑14.00 |
Registration, meeting and visiting to the Laboratory of Semiconductor Physics and Techniques of Stepanov Institute of Physics of NAS of Belarus |
| 14.00 |
Workshop Opening |
| Introductory Greetings. V. V. Kabanov, N. S. Kazak, G. P. Yablonskii. |
|
| Section 1 - Injection Lasers |
|
| 14.20-14.45 |
Invited report |
| Полупроводниковые лазеры в средней ИК-области спектра (2-4 мкм) на модах шепчущей галереи (MID-infrared WGM lasers) |
|
| Ю. П. Яковлев, А. П. Астахова, Е. А. Гребенщикова, К. В. Калинина, С. С. Кижаев, А. М. Монахов, В. В. Шерстнев, G. Boissier, R. Teissier, А. Н. Баранов |
|
| Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург, Russia |
|
| 14.50-15.15 |
Invited report |
| Дискретно перестраиваемый одночастотный лазер с волоконными брэгговскими решетками (Tunable laser diodes with FBG) |
|
| В. П. Дураев |
|
| НПП «Нолатех», Москва, Россия |
|
| 15.20-15.35 |
Лазеры с несущим волноводом на основе AlGaAs/InAlGaAs на длину волны 808 нм (808 nm Lasers with carrier waveguide based on AlGaAs/InAlGaAs) |
| А. А. Чельный, А. В. Алуев, В. А. Курешов, И. А. Ивченко, Ю. А. Ахмеров, А. В. Лютецкий, Т. А. Налет, Н. А. Пихтин, С. О. Слипченко, И. С. Тарасов |
|
| ФГУП НИИ «Полюс» им. М. Ф. Стельмаха, Москва, Россия |
|
| 15.40-15.55 |
Генерация разностной частоты в «двухчиповом» полупроводниковом лазере GaAs/InGaAs/InGaP (Difference-frequency generation in butt-joint diode semiconductor GaAs/InGaAs/InGaP laser) |
| В. Я. Алёшкин, В. И. Гавриленко, А. А. Дубинов, К. В. Маремьянин, С. В. Морозов, М. С. Желудев, А. А. Бирюков, Б. Н. Звонков, С. М. Некоркин |
|
| Институт физики микроструктур РАН, Н. Новгород, Россия |
|
| 16.00-16.30 |
Coffee Break |
| 16.30-16.55 |
Invited report |
| Новые подходы в конструировании мощных полупроводниковых лазеров (New approaches in design of high-power semiconductor lasers) |
|
| И. С. Тарасов |
|
| Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург, Россия |
|
| 17.00-17.25 |
Invited report |
| Мощные лазерные диоды спектральных диапазонов 808 и 970 нм (Powerful laser diodes for 808 and 970 nm spectral ranges) |
|
| В. В. Безотосный, В. Ю. Бондарев, В. А. Олещенко, В. Ф. Певцов, Ю. М. Попов, Е. А. Чешев |
|
| Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, Москва, Россия |
|
| 17.30-17.55 |
Invited report |
| Вертикально-излучающие лазеры на основе наногетероструктур в системе материалов Al-In-Ga-As-N (VCSELs based on AlInGaAsN nanoheterostructures) |
|
| Н. А. Малеев, В. М. Устинов |
|
| Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург, Россия |
18.00-18.15 |
Генерация и смешение TE0 и TE1 мод в резонаторе полупроводникового лазерного диода (Lasing and mixing of TE0 and TE1 modes in the cavity of a semiconductor laser diode) |
| М. Н. Колесников, С. М. Некоркин, А. А. Бирюков, Б. Н. Звонков, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, Вл. В. Кочаровский |
|
| Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н. И. Лобачевского, Н. Новгород, Россия |
|
| 18.20-18.35 |
Полупроводниковый лазерный диод GaAs/InGaAs/InGaP, выращенный на Ge-подложке (Semiconductor GaAs/InGaAs/InGaP laser diode grown on Ge substrate) |
| А. А. Бирюков, Б. Н. Звонков, М. Н. Колесников, С. М. Некоркин, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов |
|
| Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н. И. Лобачевского, Н. Новгород, Россия |
|
| 18.40-18.55 |
Возможность создания широкоапертурного лазерного модуля на основе Nd-фосфатного стекла с диодной накачкой для сверхмощных лазерных систем (Possibility of creation of the diode pumped wide aperture laser module based on Nd-phosphate glass for superpower laser systems) |
| А. П. Богатов, С. Г. Гаранин, И. Н. Воронич, Г. Т. Микаелян, С. А. Сухарев, А. Н. Стародуб |
|
| Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, Москва, Россия |
|
| 2 June, Tuesday |
|
| Section 1 - Injection Lasers |
|
| 09.00-09.25 |
Invited report |
| Polarization control in VCSELs with photonic crystals |
|
| M. Dems, K. Panajotov, W. Nakwaski |
|
| Institute of Physics, Technical University of Łódź, Łódź, Poland |
|
| 09.30-09.45 |
Анализ фазовых соотношений в импульсном излучении двухчастотного лазера с вертикальным внешним резонатором (Analysis of phase correlations in pulsed radiation of a dual-frequency vertical external-cavity surface-emitting laser) |
| М. Ю. Морозов, Ю. А. Морозов, И. В. Красникова |
|
| Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН (Саратовский фил. ), Саратов, Россия |
|
| 09.50-10.05 |
Modeling of an operation of InGaAs-GaAs quantum-dot GaAs-based vertical-cavity surface-emitting lasers |
| Ł. Piskorski |
|
| |
|
| 10.10-10.20 |
Расчет спектральных характеристик квантово-каскадных лазерных структур с учетом несимметричных контуров уширения линии излучения (Calculation of spectral characteristics of quantum-cascade laser structures with taking into account nonsymmetrical contours of line emission broadening) |
| Д. В. Ушаков, В. К. Кононенко, И. С. Манак |
|
| Белорусский государственный университет, Минск, Беларусь |
|
| 10.25-10.35 |
Поляризационные переключения в полупроводниковых инжекционных лазерах (Polarization switching in semiconductor injection lasers) |
| Л. И. Буров, А. С. Горбацевич, Е. С. Соколов |
|
| Белорусский государственный университет, Минск, Беларусь |
|
| 10.40-11.00 |
Coffee Break |
| 11.00-11.25 |
Invited report |
| Advances in quantum cascade lasers grown by metalorganic vapour phase epitaxy |
|
| A. B. Krysa, J. S. Roberts, K. Kennedy, D. G. Revin, L. R. Wilson, J. W. Cockburn |
|
| EPSRC National Centre for III-V Technologies, Department of Electronic and Electrical Engineering, University of Sheffield, Sheffield, United Kingdom |
|
| 11.30-11.45 |
Technology for high power Mid-IR Sb-based extended-cavity semiconductor disk laser bonded on host substrate |
| J.-P. Perez, L. Cerutti, A. Laurain, A. Garnache, I. Sagnes |
|
| Institut d'Electronique du Sud, CNRS UMR5214, Université Montpellier 2 |
|
| 11.50-12.00 |
Моделирование процесса генерации в двухслойном микрорезонаторе с оболочкой из полупроводниковой наноструктуры (Simulation of generation process in two-layered microresonator with semiconductor nanostructures shell) |
| Л. Астафьева, Г. Леднева |
|
| Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь |
|
| 12.05-12.15 |
Свипирование частоты излучения квантоворазмерных гетеролазеров с учетом изменений ширины запрещенной зоны полупроводника (Sweeping the radiation frequency of quantum-well heterolasers with taking into account changes in the semiconductor band gap) |
| Б. Ф. Кунцевич, В. К. Кононенко |
|
| Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь |
|
| 12.20-12.30 |
Модуляционный отклик диодно-накачиваемых твердотельных микрочип и мини-лазеров (Modulation response of diode-pumped solid-state microchip and mini-lasers) |
| С. В. Войтиков |
|
| Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь |
|
| 12.35-12.50 |
Полупроводниковые оптические усилители с максимумом усиления на длине волны 1060 нм и приборы на их основе (Semiconductor optical amplifiers with gain maximum at 1060 nm and novel devices on them) |
| А. А. Лобинцов, М. В. Перевозчиков, М. В. Шраменко, С. Д. Якубович |
|
| ООО «Суперлюминесцентные Диоды», Москва, Россия |
|
| 12.55-13.10 |
Охлаждение мощных диодных линеек и собранных из них модулей накачки твердотельных лазеров (Cooling of high power diode bars and assembled modules for pumping solid-state lasers) |
| В. В. Привезенцев, Е. А. Копина, И. В. Глухих, С. С. Поликарпов, С. В. Фролов |
|
| ГНЦ РФ-Физико-энергетический институт им. А. И. Лейпунского, Обнинск, Россия |
|
| 13.15-13.25 |
Энергетические состояния примесей и дефектов в активном слое InAs/InAsSbP гетеролазеров (Energy states of dopants and defects in the active layer of InAs/InAsSbP heterolasers) |
| Т. В. Безъязычная, В. М. Зеленковский, В. В. Кабанов, Е. В. Лебедок, Г. И. Рябцев, Ю. П. Яковлев |
|
| Институт физико-органической химии НАН Беларуси, Минск, Беларусь |
|
| 13.30-14.30 |
Lunch |
| Section 2 - Electron-beam and Optically Pumped Lasers |
|
| 14.30-14.55 |
Invited report |
| Полупроводниковые лазеры видимого и УФ диапазона на основе широкозонных соединений А2В6 (Visible-UV semiconductor lasers based on wide-gap II-VI compounds) |
|
| С. В. Иванов, Е. В. Луценко, М. М. Зверев, A. Waag |
|
| Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург, Россия |
|
| 15.00-15.25 |
Invited report |
| Новые результаты по полупроводниковым лазерам с продольной накачкой электронным пучком (New results on e-beam longitudinal pumped semiconductor lasers) |
|
| В. И. Козловский, П. И. Кузнецов, M. D. Tiberi |
|
| Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, Москва, Россия |
|
| 15.30-15.45 |
Генерация второй гармоники (312 нм) лазера с оптической накачкой наноструктуры InGaP/AlGaInP (312 nm of frequency doubled harmonics in InGaP/AlGaInP-nanostructure laser under optical pumping) |
| Б. М. Лаврушин, В. И. Козловский, Я. К. Скасырский |
|
| Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, Москва, Россия |
|
| 15.50-16.05 |
Интегральный инжекционный А2В6/A3N лазерный конвертер на основе гетероструктуры с несколькими плоскостями квантовых точек CdSe/ZnSe (Integral injection А2В6/A3N laser converter based on heterostructure with several CdSe/ZnSe quantum dots planes) |
| С. В. Сорокин, И. В Седова, С. В. Гронин, С. В. Иванов, Е. В. Луценко, А. Г. Войнилович, Н. П. Тарасюк, Г. П. Яблонский |
|
| Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе, С.-Петербург, Россия |
|
| 16.10-16.25 |
Зеленый полупроводниковый лазер с оптической накачкой с активной областью на основе нескольких плоскостей квантовых точек CdSe/ZnSe (Optically pumped green semiconductor lasers with active region based on several planes of CdSe/ZnSe quantum dots) |
| И. В Седова, Е. В. Луценко, С. В. Сорокин, А. Г. Войнилович, Н. П. Тарасюк, С. В. Гронин, Г. П. Яблонский, С. В. Иванов |
|
| Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе, С.-Петербург, Россия |
|
| 16.30-16.45 |
Многоэлементные лазеры с поперечной накачкой электронным пучком на основе ZnSe-содержащих гетероструктур (Multi-element ZnSe-based lasers with transverse electron beam pumping) |
| М. М. Зверев, Н. А. Гамов, Е. В. Жданова, Д. В. Перегудов, В. Б. Студенов, С. В. Иванов, С. В. Сорокин, С. И. Гронин, И. В. Седова, П. С. Копьев, И. М. Олихов |
|
| Московский институт радиотехники, электроники и автоматики, Москва, Россия |
|
| 16.50-17.20 |
Coffee Break |
| 17.20-17.45 |
Invited report |
| Er,Yb: YAB - новая активная среда для лазеров с диодной накачкой в спектральном диапазоне 1.5-1.6 мкм (Er,Yb: YAB as a novel active medium for diode pumped 1.5-1.6 µm lasers) |
|
| Н. В. Кулешов, Н. А. Толстик, В. Э. Кисель, Н. И. Леонюк |
|
| НИИ оптических материалов и технологий БНТУ, Минск, Беларусь |
|
| 17.50-18.00 |
Новый диодно накачиваемый источник когерентного излучения в желтом диапазоне спектра (New solid-state diode pumped source of coherent yellow radiation) |
| А. Демидович, А. А. Кононович, A. С. Грабчиков, М. Данаилов, В. А. Орлович |
|
| LaserLab ELETTRA-Sincrotrone, Basovizza, Trieste, Italy |
|
| 18.05-18.15 |
Компактный лазерный излучатель на длине волны 1,54 мкм с пассивной модуляцией добротности (Compact 1.54 µm laser emitter with passive Q‑switching) |
| М. В. Богданович, Т. В. Безъязычная, В. В. Кабанов, Е. В. Лебедок, Г. И. Рябцев, А. В. Григорьев, А. Г. Рябцев, М. А. Щемелев |
|
| Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь |
|
| 18.20-18.30 |
Временные характеристики синего излучения, наблюдаемого при непрерывной ВКР генерации в диодно-накачиваемом композитном Nd: KGW/KGW лазере (Temporal properties of blue emission observed in diode pumped CW Raman laser based on composite Nd: KGW/KGW crystal ) |
| И. А. Ходасевич, П. В. Шпак, А. С. Грабчиков, А. А. Корниенко, В. А. Орлович |
|
| Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь |
|
| 18.35-18.45 |
Генерация видимого и инфракрасного многочастотного излучения в импульсном микрочип лазере с ВКР преобразованием (Generation of multi-frequency infrared and visible radiation in pulsed microchip laser with Raman conversion) |
| П. В. Шпак, А. А. Демидович, М. Б. Данаилов, А. С. Грабчиков, В. А. Орлович |
|
| Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь |
|
| 19.00 |
Welcome Party |
| 3 June, Wednesday |
|
| Visiting to the laboratories at Stepanov Institute of Physics NASB. |
|
| 4 June, Thursday |
|
| Section 3 - Light-emitting and Superluminescence Diodes |
|
| 09.00-09.25 |
Invited paper |
| Improved SLDs and SOAs for high-resolution optical coherence tomography |
|
| |
E. V. Andreeva, Yu. O. Kostin, P. I. Lapin, A. A. Lobintsov, M. V. Shramenko, S. D. Yakubovich |
| |
Superlum Diodes Ltd. , Moscow, Russia |
| 09.30-09.45 |
Мощные и широкополосные суперлюминесцентные диоды высокой надежности со спектральным максимумом в полосе 840-860 нм (High-power and broad-band reliable SLDs at 840-860 nm) |
| Ю. О. Костин, А. В. Куртепов, П. И. Лапин, А. А. Лобинцов, А. А. Мармалюк, Д. Р. Сабитов, С. Д. Якубович |
|
| ООО «Суперлюминесцентные Диоды», Москва, Россия |
|
| 09.50-10.15 |
Invited report |
| Светодиодные структуры из арсенида галлия, легированного амфотерными примесями, как модель для экспериментального изучения фундаментальных физических явлений в полупроводниках (Light-emitting GaAs structures doped with amphoteric impurities as a model for experimental study of fundamental physical phenomena in semiconductors) |
|
| В. Г. Сидоров |
|
| Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, |
|
| 10.20-10.35 |
Результаты расчетов освещенностей от светодиодных модулей и исследований аномальных характеристик коэффициентов отклонения от закона квадрата расстояния (Calculations of illuminations from light-emitting diode modules and researches of abnormal characteristics of factors of a deviation from the law of a square of distance) |
| Э. М. Гутцайт, В. Э. Маслов, Т. А. Агафонова |
|
| Московский энергетический институт (Технический университет), Москва, Россия |
|
| 10.40-10.50 |
Исследования характеристик светоизлучающих LEC-панелей (Investigations of characteristics of light-emitting LEC panels) |
| Э. М. Гутцайт, В. Э. Маслов, Ф. В. Соркин |
|
| Московский энергетический институт (Технический университет), Москва |
|
| 10.55-11.05 |
Наноразмерные светодиодные модули на основе электродинамических систем с квантовыми «нитями» и «точками» (Nanosize light-emitting diode modules on the basis of electrodynamic systems with quantum «strings» and «points») |
| Э. М. Гутцайт, А. А. Курушин |
|
| Московский энергетический институт (Технический университет), Москва, Россия |
|
| 11.10-11.30 |
Coffee Break |
| 11.30-11.40 |
Обобщенный тепловой анализ мощных светодиодов и гетеролазеров (Generalized thermal analysis of powerful light-emitting diodes and heterolasers) |
| Ю. А. Бумай, О. С. Васьков, В. К. Кононенко, Е. В. Луценко |
|
| Белорусский национальный технический университет, Минск, Беларусь |
|
| 11.45-11.55 |
Оптические и мощностные характеристики светодиодов c монтажной площадкой из анодированного алюминия (Optical and power characteristics of LEDs with anodized aluminum mounting plate) |
| Е. В. Луценко, А. В. Данильчик, Н. В. Ржеуцкий, В. З. Зубелевич, Н. И. Мухуров, С. С. Грабчиков |
|
| Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь |
|
| 12.00-12.15 |
Эффективность излучения различных типов мощных белых светодиодов (Radiation efficiency of various types of high-power white LEDs) |
| Ю. В. Трофимов, В. И. Цвирко, С. И. Лишик |
|
| РНПУП «Центр светодиодных и оптоэлектронных технологий» НАН Беларуси, Минск, Беларусь |
|
| 12.20-12.30 |
Использование тепловых труб в светодиодных устройствах (Heat pipes using in power LED devices) |
| Ю. В. Трофимов, С. И. Лишик, В. И. Цвирко, В. С. Поседько, В. В. Докторов, В. В. Мазюк |
|
| РНПУП «Центр светодиодных и оптоэлектронных технологий» НАН Беларуси, Минск, Беларусь |
|
| 12.35-12.45 |
Термостабильный омический контакт к n+GaAs/AlGaAs/InGaAs/GaAs гетероэпитаксиальным структурам (Thermostable ohmic contact to n+GaAs/AlGaAs/InGaAs/GaAs heteroepitaxial structures) |
| В. М. Кравченко, А. В. Кравченко |
|
| Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь |
|
| 12.50-13.05 |
Гетероструктуры со слоями InAlN для оптоэлектронных применений (Heterostructures with InAlN layers for optoelectronic applications) |
| А. В. Сахаров, Е. Е. Заварин, М. А. Синицын, В. В. Лундин, Н. Ю. Гордеев, А. Ф. Цацульников |
|
| Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, C. -Петербург, Россия |
|
| 13.30-14.30 |
Lunch |
| Section 4 - Applications and Techniques |
|
| 14.30-14.55 |
Invited paper |
| High power single frequency broadly tunable compact extended-cavity semiconductor laser for gas analysis |
|
| A. Laurain, A. Garnache, M. Myara, L. Cerutti, J. -P. Perez, P. Signoret, M. Triki, P. Cermak, D. Romanini, I. Sagnes, G. Beaudoin |
|
| Institut d'Electronique du Sud, CNRS UMR5214, Université Montpellier 2 |
|
| 15.00-15.15 |
AlInGaN гетероструктуры для оптоэлектронных применений (AlInGaN heterostructures for optoelectronic applications) |
| Е. В. Луценко, А. В. Данильчик, А. Г. Войнилович, Н. В. Ржеуцкий, В. З. Зубелевич, В. Н. Павловский, Г. П. Яблонский, А. С. Шуленков, В. Н. Жмерик, А. М. Мизеров, С. В. Иванов, П. С. Копьев, H. Kalisch, R. H. Jansen, B. Schineller, M. Heuken |
|
| Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь |
|
| 15.20-15.30 |
Миниатюризированные камеры для детектирования газов с помощью диодно-лазерной оптико-акустической спектроскопии (Miniaturized cells for gas detection by laser-diode-based laser optico-acoustic spectroscopy) |
| А. В. Горелик, А. Л. Уласевич, В. А. Фираго, В. С. Старовойтов |
|
| Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь |
|
| 15.35-15.45 |
Оптический измеритель экологически-значимых параметров городских аэрозолей (Optical device for measurement of ecological important parameters of urban aerosols) |
| С. А. Лысенко, М. М. Кугейко |
|
| Белорусский государственный университет, Минск, Беларусь |
|
| 15.50-16.05 |
Компактный акустооптический модулятор в чистом режиме дифракции Рамана-Ната как фазовый модулятор при частотной стабилизации диодного лазера (Compact acoustooptical modulator in net Raman-Nath diffraction regime as a phase modulator at frequency stabilization of a diode laser) |
| В. Н. Барышев, В. М. Епихин, С. С. Курленков |
|
| ФГУП «ВНИИФТРИ», Менделеево, Моск. обл., Россия |
|
| 16.10-16.20 |
Полупроводниковые лазеры в микрорезонаторных системах визуализации ИК изображений (Semiconductor lasers in microresonator systems of the infrared image visualization) |
| А. К. Есман, В. К. Кулешов, Г. Л. Зыков |
|
Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь |
|
| 16.25-16.40 |
Структуры с GaN/AlGaN квантовыми точками для фотоприемников ИК излучения (GaN/AlGaN quantum dot structures for IR photodetectors) |
| К. С. Журавлев, В. Г. Мансуров, С. Н. Гриняев, Г. Ф. Караваев |
|
| Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия |
|
| 16.45-16.55 |
Активно-импульсная система видения на основе полупроводниковых лазеров (Active-pulse system of vision on the basis of semiconductor lasers) |
| В. А. Горобец, В. В. Кабанов, Б. Ф. Кунцевич, В. О. Петухов, И. Н. Пучковский, В. С. Черников |
|
| Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь |
|
| 17.00-17.10 |
Исследование возможностей использования микрочип лазера в составе лазерно-плазменного двигателя космического назначения (Study of microchip laser use possibility in laser-plasma thrusters for space application) |
| А. Н. Чумаков, А. С. Грабчиков, В. А. Орлович, П. В. Шпак, Н. А. Босак, А. М. Петренко, П. В. Чекан, П. Н. Малевич |
|
| Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь |
|
| 17.15-17.30 |
Coffee Break |
| 17.35-17.50 |
Рост эпитаксиальных слоев ZnSSe, ZnMgSSe и наноразмерных структур ZnSSe/ZnMgSSe методом ПФЭМОС на подложках GaP для УФ лазеров с накачкой электронным пучком (MOVPE growth of thick ZnSSe, ZnMgSSe epilayers and MQW structures on GaP substrates for UV e-beam pumped laser) |
| П. И. Кузнецов, В. И. Козловский |
|
| Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, Фрязино, Моск. обл., Россия |
|
| 17.55-18.10 |
Selective photoreceivers with two-coordinate sensitivity on the basis of III-V heterostructures |
| V. Dorogan, T. Vieru |
|
| Technical |
|
| 18.15-18.25 |
Photoreceivers with selective and modulated sensibility |
| V. Dorogan, T. Vieru, S. Vieru, A. Dorogan |
|
| Technical |
|
| 18.30-18.45 |
The apparatus for physical therapy on the basis of laser diodes |
| S. Vieru, V. Dorogan, T. Vieru |
|
| |
Technical |
| 18.50-19.00 |
Сперма рыб как объект для исследования механизмов биологической активности оптического излучения низкой интенсивности (Fish semen as an object for study of mechanisms of biological activity of low intensity optical radiation) |
| В. Ю. Плавский, Н. В. Барулин |
|
| Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь |
|
| 19.05-19.15 |
Применение полупроводниковых лазеров и сверхъярких светодиодов в технологии воспроизводства и выращивания осетровых рыб (Application of laser diodes and ultra-high-brightness LEDs for sturgeon reproduction and growing technology) |
| В. Ю. Плавский, Н. В. Барулин |
|
| Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь |
|
| 19.20-19.30 |
Перспективы использования полупроводниковых лазеров и сверхъярких светодиодов для антимикробной фотодинамической терапии (Prospects of use of LDs and ultra-high-brightness LEDs for antimicrobial photodynamic therapy) |
| В. Ю. Плавский, Л. Г. Плавская, А. И. Третьякова, А. Ю. Курочкина |
|
| Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь |
|
| 5 June, Friday |
|
| |
Section 5 - Photonic Components, Characterization and Methods |
| 09.00-09.15 |
Оптические, люминесцентные и фотовольтаические свойства слоев и гетероструктур солнечных элементов ZnO/CdS/Cu(In,Ga)Se2/Mo (Optical, luminescent and photovoltaic properties of layers and heterostructures of ZnO/CdS/Cu(In,Ga)Se2/Mo solar cells) |
| Е. В. Луценко, А. Г. Войнилович, В. З. Зубелевич, Н. В. Ржеуцкий, Г. П. Яблонский, С. М. Насточкин, Е. А. Хохлов, Т. Б. Бояренко, В. Я. Ширипов |
|
| Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь |
|
| 09.20-09.35 |
Annealing studies on ZnO/CdS/CuInSe2 solar cells |
| V. A. Ivanov, V. F. Gremenok, V. B. Zalesski, T. R. Leonova, V. A. Emelyanov, V. S. Syakersky, R. R. Chyhir, K. Bente |
|
| SSPA "Scientific-Practical Materials Research Centre of NASB", Minsk, Belarus |
|
| 09.40-09.50 |
Photoluminescence of III-nitride heterostructures grown with nonpolar orientation on lithium aluminium oxide substrates |
| V. N. Pavlovskii, M. V. Rzheutski, E. V. Lutsenko, A. G. Vainilovich, A. V. Danilchyk, V. Z. Zubialevich, G. P. Yablonskii, H. Behmenburg, C. Mauder, H. Kalisch, R. H. Jansen, Y. Dikme, B. Schineller, M. Heuken |
|
| Stepanov Institute of Physics NASB, Minsk, Belarus |
|
| 09.55-10.05 |
Усиление поглощения пленок фталоцианина меди наночастицами серебра (Light absorption enhancement in cuprum phthalocyanine films by silver nanoparticles) |
| Р. А. Дынич, А. Н. Понявина, В. В. Филиппов |
|
| Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь |
|
| 10.10-10.20 |
Photoreceivers sensible to polarized radiation |
| N. N. Syrbu, A. V. Dorogan, I. G. Stamov |
|
| Technical |
|
| 10.25-10.40 |
The thermal shift effect of absorption spectra in RCE detectors |
| S. V. Gryshchenko, M. V. Klimenko, V. V. Lysak, I. A. Sukhoivanov |
|
| Kharkov National University of Radio Electronics, Kharkov, Ukraine |
|
| 10.45-10.55 |
Интегрированная фотонная антенна на основе высокоскоростного фотодиода для систем радиосвязи с оптическими магистралями (Integrated photon antenna based on high-speed photodiode for the radio communication systems with optical pathways) |
| А. Л. Чиж, С. А. Малышев, Е. Ящишин |
|
| Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь |
|
| 11.00-11.10 |
Оптические спектрально-селективные элементы, использующие эффект рассеивания света (Optical spectral and selective elements applied light scattering effect) |
| Г. А. Сукач, В. А. Манько, A. A. Манько |
|
| Национальный университет биоресурсов и использования природы Украины, Киев, Украина |
|
| 11.15-11.30 |
Coffee Break |
| 11.30-11.55 |
Invited paper |
| Thermoelectric properties of GaN nanoceramics |
|
| C. Sułkowski, A. Chuchmała, W. Stręk |
|
|
|
|
| 12.00-12.10 |
Ferromagnetic properties of hot-pressed GaN nanoceramics |
| A. J. Zaleski, P. Gluchowski, W. Stręk |
|
| Institute for Low Temperature and Structure Research, PAS, Wroclaw, Poland |
|
| 12.15-12.25 |
Воздействие наноимпульсного лазерного излучения на тонкопленочную систему In/CdZnTe (Nanopulse laser radiation effect on In/CdZnTe thin film system) |
| Г. Д. Ивлев, Е. И. Гацкевич, Л. И. Постнова |
|
| Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь |
|
| 12.30-12.40 |
Метод оценки эффективности транспорта носителей заряда в активную область светоизлучающих гетероструктур (Method of estimation of effectiveness of charge carrier transport to active region of light-emitting heterostructures) |
| В. З. Зубелевич |
|
| Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь |
|
| 12.45-12.55 |
Оптимизация дизайна гетероструктур AlGaN оптически накачиваемых лазеров для увеличения фактора оптического ограничения (Design optimization of AlGaN heterostructures of optically pumped lasers for enhancement of the optical confinement factor) |
| Н. П. Тарасюк, Е. В. Луценко, А. А. Гладыщук |
|
| Брестский государственный технический университет, Брест, Беларусь |
|
| 13.00-13.10 |
Экситонная фотолюминесценция - метод определения качества ZnO для электролюминесцентного рентгеновского преобразователя изображения (Exiton photoluminescence as a method to define ZnO quality for an electroluminescent X-ray transformer of images) |
| А. И. Андреев, В. А. Никитенко, С. М. Кокин, С. В. Мухин |
|
| Московский государственный университет путей сообщения, Москва, Россия |
|
| 13.15-13.25 |
Оптика наноструктурированных оксидов металлов в красной и инфракрасной области спектра: результаты и дальнейшие перспективы (Optics of nanostructured metals oxides in the red and infrared spectral region: results and future prospects) |
| А. Я. Хайруллина, Т. В. Ольшанская, О. Н. Куданович, Т. Н. Воробьёва, О. Н. Врублевская, А. В. Кобец, Д. С. Филимоненко |
|
| Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь |
|
| 13.30-13.40 |
Использование отечественных полупроводниковых лазерных систем в фотодинамической терапии опухолей с применением фотосенсибилизаторов на основе хлорина е6 (Application of home-produced semiconductor laser systems in photodynamic therapy of tumours with chlorin e6 based photosensitizers) |
| В. Н. Чалов, Ю. П. Истомин, Т. П. Лапцевич, Д. А. Церковский, Н. А. Петровская, А. М. Курганович |
|
| ГУ РНПЦ онкологии и медицинской радиологии им. Н. Н. Александрова, Минск, Беларусь |
|
| 13.45-14.00 |
Coffee Break |
| 14.00 |
Workshop Closing |