4-й Белорусско-Российский семинар
“Полупроводниковые лазеры и системы на их основе”

Минск, 20-22 мая 2002 г.

ПРОГРАММА

1. Приглашенный доклад
Одночастотные полупроводниковые лазеры с волоконно-брегговской решеткой.
В.П. Дураев, Е.Т. Неделин, М.А. Сумароков
АОЗТ «Новая лазерная техника», Москва
2. Лазерные гетероструктуры на длину волны 0,81 мкм с InGaAs активным слоем.
В.Г. Волков, Е.В. Граца, А.Д. Дуб, С.Б. Севастьянов
ФГУП ПО «Север», Новосибирск
Институт лазерной физики СО РАН, Новосибирск
3. Сравнительный анализ РО ДГС лазеров с AlGaAs, AlGaInAs и InGaAs активными слоями.
В.Г. Волков, Е.В. Граца, А.Д. Дуб, С.Б. Севастьянов
ФГУП ПО «Север», Новосибирск
Институт лазерной физики СО РАН, Новосибирск
4. Оптические характеристики брэгговских сверхрешеток с электрически управляемыми тонкими слоями.
Е.Ю. Альтшулер, В.Н. Гусятников, И.С. Нефедов
ИРЭ РАН, Саратовское отделение, Саратов
5. Спектральная перестройка излучения двухпроходных суперлюминесцентных диодов.
Е.В. Андреева, М.В. Шраменко, С.Д. Якубович
Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (ТУ), Москва
6. Устойчивость квантоворазмерных лазеров во внешнем резонаторе с отстройкой частоты.
С.В. Войтиков
Институт физики им. Б.И. Степанова НАН Беларуси, Минск
7. Влияние паразитной RC-цепочки лазера на его амплитудно-частотную характеристику.
А.В. Иванов, В.Д. Курносов, К.В. Курносов, А.В. Лобинцов, В.И. Романцевич, Р.В. Чернов
ФГУП НИИ "Полюс", Москва
Приглашенный доклад
8.Мощные диодные лазерные линейки и матрицы с уменьшенной расходимостью (5) в вертикальной к p n-переходу плоскости.
А.С. Адливанкин, А.П. Буничев, Г.Т. Микаелян, А.П. Панарин
ГУНПП «Инжект», Саратов
9. Мощные непрерывные 10-ти ваттные лазерные линейки с улучшенными параметрами теплоотвода.
И.В. Глухих, С.С. Поликарпов, В.А. Кубасов, М.М. Филимонов, Ю.П. Ковль, В.А. Петровский
НИИ электрофизической аппаратуры им. Д.В. Ефремова, С.-Петербург
ФГП "НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха", Москва
10. Мощный импульсный лазерный полупроводниковый излучатель с симметрично-круговой диаграммой излучения на основе квантоворазмерных структур.
И.В. Митин, С.В. Сорокин, С.А. Сосновский, М.П. Суродин
ГУНПП «Инжект», Саратов
11. Конструирование лазерных полупроводниковых излучателей с нормированной симметрично-круговой диаграммой излучения.
С.А. Сосновский, М.П. Суродин
ГУНПП «Инжект», Саратов
12. Монолитная линейка лазерных диодов с индивидуальной адресацией, состоящая из 64 элементов повышенной мощности.
Т.Б. Жиздюк, Г.Т. Микаелян
ГУНПП «Инжект», Саратов
13. Источники отрицательной люминесценции в среднем ИК-диапазоне спектра на основе диодов из InAs и InAsSb.
В.Г. Сидоров, Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин
СПбГТУ, С.-Петербург
ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург
14.Method of lines - the new vectorial approach to optical phenomena in diode lasers.
T. Czyszanowski, M. Wasiak, P. Mackowiak, R.P. Sarzaёa, W. Nakwaski
Lodz
15. Анализ направляющих свойств и потерь в волноведущей структуре длинноволнового полупроводникового лазера с возбуждением поверхностных плазмонов.
Ю.А. Морозов, И.С. Нефедов, В.Н. Гусятников
Institute of Electronics & Radioeng., Saratov Branch, Саратов
16. Токовые неустойчивости и электрополевые домены в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs с квантовыми ямами при латеральном транспорте в условиях пространственного переноса.
А.В. Антонов, В.И. Гавриленко, Б.Н. Звонков, Е.А. Ускова, М.Н. Винославский, П.А. Белевский, А.В. Кравченко
Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород
НИФТИ ННГУ, Нижний Новгород
Институт физики НАН Украины, Киев
17. Вероятность оптических переходов в легированных квантовых ямах: модель без правила отбора.
А.А. Афоненко, В.К. Кононенко
Белорусский государственный университет, Минск
Институт физики им. Б.И. Степанова НАНБ, Минск
18. Расчет коэффициента потерь усиленной люминесценции в лазерных диодах.
Г.И. Рябцев, А.С. Смаль
Институт физики им. Б.И. Степанова НАН Беларуси, Минск
Брестский государственный технический университет, Брест
19. Моделирование усиленной люминесценции в двумерном приближении в гетероструктурах.
Л.И. Буров, И.Н. Варакса, А.Г. Рябцев, Г.И. Рябцев, А.С. Смаль
Белорусский государственный университет, Минск
Институт физики им. Б.И. Степанова НАН Беларуси, Минск
Брестский государственный технический университет, Брест
Приглашенный доклад
20. Сине-зеленые лазеры на основе АВ: новые материалы и конструкции для преодоления деградации (II-VI blue-green lasers: novel materials and designs to surmount the degradation problem).
С.В. Иванов (S.V. Ivanov)
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург
(Ioffe Institute RAS, St. Petersburg)
21. Перспективы использования гексагональных гетероструктур АВ в качестве активной среды лазеров с накачкой электронным пучком.
В.И. Козловский, В.П. Мартовицкий, Я.К. Скасырский, П.И. Кузнецов, Л.Ю. Захаров, Г.Г. Якущева
Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Москва
Институт радиотехники и электроники РАН, Фрязино
22. Лазеры с продольной накачкой электронным пучком на гетероструктурах ZnCdSe и AlGaInP с малым (15) числом квантовых ям.
В.Ю. Бондарев, В.И. Козловский, Ю.Г. Садофьев, Я.К. Скасырский, Ю.М. Попов
Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Москва
23. Определение скоростей излучательной и безызлучательной рекомбинации в эпитаксиальных слоях широкозонных полупроводников.
Е.В. Луценко, В.Н. Павловский, А.Г. Рябцев, Г.И. Рябцев, Г.П. Яблонский, А.С. Смаль, Б. Шинеллер, М. Хойкен
Институт физики им. Б.И. Степанова НАН Беларуси, Минск
Белорусский государственный университет, Минск
Брестский государственный технический университет, Брест
AIXTRON AG, Aachen
24. Temperature dependence of laser properties and degradation of ZnSe/ZnMgSSe SCH MQW lasers at optical excitation.
E.V. Lutsenko, V.Z. Zubialevich, V.N. Pavlovskii, A.L. Gurskii, G.P. Yablonskii, H. Kalisch, R.A. Jansen, M. Heuken
Stepanov Institute of Physics, National Academy of Sciences of Belarus, Minsk
Institut fur Theoretische Elektrotechnik RWTH, Aachen
AIXTRON AG, Aachen
25. Импульсные лазеры с электронно-лучевой накачкой на основе квантоворазмерных структур.
М.М. Зверев, С.В. Иванов, П.С. Копьев, Д.В. Перегудов, С.В. Сорокин, И.В. Седова
Troitsk Institute for Innovation and Fusion Research, Troitsk
26. Сборки оптически связанных полупроводниковых лазеров с накачкой электронным пучком.
М.М. Зверев, А.Н. Коломийский, Д.В. Перегудов
Troitsk Institute for Innovation and Fusion Research, Troitsk
27. Температурный режим работы лазерного экрана электронно-лучевой трубки (ЛЭЛТ).
В.И. Козловский, Х.Х. Кумыков, И.В. Малышев, Ю.М. Попов
Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Москва
28.Приглашенный доклад
Усиление и лазерная генерация кристаллических фиберов 1.1 % Nd:YAG субмиллиметрового диаметра в геометрии продольной накачки (Gain and laser operation of end-pumped 1.1 % Nd:YAG rods with sub-millimeter diameters).
С.М. Ватник (S.M. Vatnik)
Институт лазерной физики СО РАН, Новосибирск
29. Laser and optical properties of heterostructures with GaN active layer grown by MOVPE on Si and AlO substrates.
A.L. Gurskii, E.V. Lutsenko, V.N. Pavlovskii, V.Z. Zubialevich, G.P. Yablonskii, H. Kalisch, A. Szymakowski, R.A. Jansen, A. Alam, Y. Dikme, B. Schineller, M. Heuken
Stepanov Institute of Physics, National Academy of Sciences of Belarus, Minsk
Institut fur Theoretische Elektrotechnik RWTH, Aachen
AIXTRON AG, Aachen
30. Optical and laser properties of MQW laser and electroluminescence test heterostructures with InGaN active layer grown by MOVPE.
E.V. Lutsenko, V.N. Pavlovskii, V.Z. Zubialevich, A.L. Gurskii, G.P. Yablonskii, A. Alam, Y. Dilme, B. Schineller, M. Heuken
Stepanov Institute of Physics, National Academy of Sciences of Belarus, Minsk
AIXTRON AG, Aachen
31. Источники поляризованной люминесценции и оптоэлектронные устройства на основе GaN (Zn, O).
А.Г. Дрижук, В.Г. Сидоров, С.В. Шестериков
Вологодский государственный естественно-математический лицей, Вологда
C.-Петербургский государственный технический университет, С.-Петербург
Вологодский государственный технический университет, Вологда
32. Оптимизация условия диодной накачки твердотельного микролазера на Nd: LSB с удвоением частоты и с волоконным выходом.
А.П. Буничев, Г.Т. Микаелян, В.А. Панарин, С.Н. Соколов
ГУНПП «Инжект», Саратов
33. Эффективная перестраиваемая генерация Yb, Tm: KY (WO) в области 1,9 мкм при лазерной диодной накачке.
Л.Е. Батай, А.А. Демидович, А.Н. Кузьмин, А.Н. Титов, М. Монд, С. Кюк
Институт физики им. Б.И. Степанова НАН Беларуси, Минск
Институт молекулярной и атомной физики, НАН Беларуси, Минск
Государственный оптический институт им. C.И. Вавилова, С.-Петербург
Institute fuer Laser-Physik, Universitaet Hamburg, Hamburg
34. Субнаносекундные микрочип-лазеры с ВКР-преобразованием частоты генерации.
А.А. Демидович, А.Н. Кузьмин, А.С. Грабчиков, В.А. Лисинецкий, В.А. Орлович, Л.Е. Батай, О.В. Кузьмин
Институт молекулярной и атомной физики НАН Беларуси, Минск
Институт физики им. Б.И. Степанова НАН Беларуси, Минск
НПО «ФИРН», Краснодар
35. Приглашенный доклад
Высокочувствительная газоаналитическая аппаратура на перестраиваемых гетеролазерах InGaAs.
А.И. Надеждинский, А.Г. Березин, А.Д. Бритов, А.С. Кононов, И.Ю. Ларцев, О.В. Смолин
ЦЕНИ ИОФ РАН, Москва
ФГУП «Альфа», Москва
Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (ТУ), Москва
36. Применение полупроводниковых лазеров в высокоточных системах частотных измерений.
С.Н. Багаев, В.Ф. Захарьяш, В.М. Клементьев, Д.Б. Колкер, С.А. Кузнецов, В.С. Пивцов, С.В. Чепуров
Институт лазерной физики СО РАН, Новосибрск
37. Новое направление в цифровой печати с использованием полупроводниковых лазеров.
С.Н. Максимовский, Г.А. Радуцкий, А.Д. Бритов, П.С. Козлов
Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Москва
38. Длинноволновые гетеролазеры в тауметрии фотоприемных гетероструктур CdHgTe, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии.
А.Д. Бритов, А.С. Кононов, И.Ю. Ларцев, Е.В. Сусов, А.А. Комов, О.В. Смолин, В.А. Кулиев, Н.А. Сулейманов
ФГУП «Альфа», Москва
Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (ТУ), Москва
39. Применение полупроводниковых лазеров в терапевтических технологиях.
В.А. Мостовников, В.С. Улащик, Г.Р. Мостовникова, В.Ю Плавский, Л.Г. Плавская, А.Б. Рябцев, И.А. Рыбин, Н.С. Сердюченко, П.С. Русакевич, А.Л. Новаковский
Институт физики им. Б.И. Степанова НАН Беларуси, Минск
Бел. МАПО, Минск
ОКБ «Аксикон», Минск
Минский государственный медицинский университет, Минск
Республиканский диспансер спортивной медицины, Минск
40. Псевдомонохроматор на излучающих диодах для анализа фотостимулированных процессов в полупроводниковых материалах.
А.А. Патрин (A. Patryn)
Кошалинский технический университет, Кошалин
(Technical University of Koszalin, Koszalin)
41. Моделирование джиттера импульсных микролазеров и возможности его уменьшения при использовании модулированной диодной накачки (Modeling of jitter in pulsed microchip lasers and possibilities of its reduction by applying modulated diode pumping).
А. Дементьев, Р. Навакас (A. Dement’ev, R. Navakas)
Вильнюс
42. Приглашенный доклад
Молекулярно-пучковая эпитаксия и технология вертикально-излучающих лазеров с выводом излучения через подолжку.
Н.А. Малеев, А.Р. Ковш, А.П. Васильев, С.С. Михрин, Ю.М. Шерняков, М.В. Кулагина, Ю.М. Задиранов, Д.А. Бедарев, Ю.В. Соловьев, A.В. Шуленков, М.В. Максимов, В.А. Гришанов, Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург
АОЗТ "Светлана-Электронприбор", С.-Петербург
Минский НИИ радиоматериалов, Минск
43. Рост GaN/AlGaN квантоворазмерных гетероструктур методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота (GaN/AlGaN Quantum well heterostructures grown by molecular beam epitaxy with plasma activated nitrogen).
В.Н. Жмерик, В.А. Векшин, В.В. Ратников, А.A. Торопов, М.Г. Ткачман, Т.В. Шубина, С.В. Иванов, П.С. Копьев
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург
44. Эллипсометрический контроль in situ процессов выращивания лазерных гетероструктур методом МОС-гидридной эпитаксии.
В.Г. Волков, Е.В. Граца, А.Д. Дуб, О.С. Пивень, С.Б. Севастьянов
ФГУП ПО «Север»
Институт лазерной физики СО РАН, Новосибирск
45. Поиск путей управления свойствами ZnO с целью создания p n-гомо- и гетеропереходов и лазеров на их основе.
В.А. Никитенко, С.Г. Стоюхин, И.В. Пыканов, С.В. Мухин, И.П. Кузьмина
Московский государственный университет путей сообщения, Москва
46. Выращивание и исследование свойств кристаллов ванадата иттрия.
В.Н. Матросов, Т.А. Матросова, М.И. Купченко
Институт повышения квалификации и переподготовки кадров, Минск
47. Изучение условий получения кристалловMgAlO:Co+ - перспективного материала для пассивных затворов на 1,3 и 1,55 мкм.
В.Н. Матросов, Т.А. Матросова, М.И. Купченко
Институт повышения квалификации и переподготовки кадров, Минск
48. Влияние зарядового состояния на структуру и свойства вакансий в квантовых точках на арсениде галлия.
Т.В. Безъязычная, В.М. Зеленковский, М.М. Соболев, Г.И. Рябцев
Институт физико-органической химии НАН Беларуси, Минск
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург
Институт физики им. Б.И. Степанова НАН Беларуси, Минск
49. (По вопросам охлаждения ПЛ) (title to be specified)
И.В. Глухих, В.В. Привезенцев
С.-Петербург
ГНЦ РФ Физико-энергетический институт, Обнинск
50. (to be confirmed)
С.А. Гуревич
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург
51. (to be confirmed)
Е.Л. Портной
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург

Закрытие семинара